6月22日，海納半導體(山西)有限公司半導體硅單晶生產基地項目在山西轉型綜改示范區陽曲園區開工。該項目總投資5.46億元，占地面積約133.85畝，將運用海納自身的技術，引入120套單晶生產設備，建設年產750噸6英寸半導體硅單晶生產基地，并開展8—12英寸半導體級硅單晶相關生產技術的研發。
海納半導體成立于2002年9月，前身是1970年成立的浙江大學半導體廠，在硅單晶體生長技術、硅片切割研磨、硅晶圓拋光技術等各方面都有著深入的研究和開發，是國家級高新技術企業。2021年9月投資山西，成立海納半導體(山西)有限公司。
今年1月，作為山西轉型綜改示范區“三個一批”簽約項目，海納半導體(山西)有限公司半導體硅單晶生產基地項目落戶陽曲園區。為保證項目建設穩步推進，園區成立項目專班，按照項目落地建設流程，與企業共同制定項目推進安排表，將開工前各項工作進行分解，責任到人。專班堅持每周至少去1次現場，對企業通過電話或微信提出的問題隨時協調解決，先后解決了項目設計方案、臨時水電接入、立項調整、能耗指標、周邊糾紛、土地摘牌、砷指標落實、疫情防控等10多個問題，有力地推動了項目建設。
（責編：張杰）
